技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 0.19 Ω
技术参数/耗散功率: 750 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/上升时间: 9 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 165pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 480 mW
技术参数/下降时间: 2 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 750 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SC-70
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 1.25 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SC-70
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDG326P
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SC-70-6 |
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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FDG326P
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SC-70-6 |
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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||
FDG330P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SC-70-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG330P, 2 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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