技术参数/额定功率: 0.2 W
技术参数/输出电压: 50 mV
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 80 @5mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/增益带宽: 250 MHz
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: UMT-3F-3
外形尺寸/封装: UMT-3F-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: PB free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DTC014YMT2L
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 类似代替 | VMT-3 |
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
|
||
DTC043ZUBTL
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 完全替代 | SOT-323 |
NPN 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHM Resistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
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