技术参数/额定电压(DC): 40.0 V
技术参数/额定电流: 200 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.2A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 500 @100µA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 150 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TSSOP-6
外形尺寸/封装: TSSOP-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MBT6429DW1T1G
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onsemi | 完全替代 | SOT-363 |
NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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