技术参数/频率: 420 MHz
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.1 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 200 @100mA, 2V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 560
技术参数/额定功率(Max): 1.1 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1100 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOT-23-6
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.6 mm
外形尺寸/高度: 0.9 mm
外形尺寸/封装: TSOT-23-6
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
CPH6531-TL-E
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TSOT-23-6 |
Small Signal Bipolar Transistor
|
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