技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 8A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 20000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: DPAK-252
外形尺寸/封装: DPAK-252
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MJD44H11RLG
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11RLG 功率晶体管, NPN, 80V, D-PAK
|
||
MJD44H11T4G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
|
||
MJD44H11T4G
|
onsemi/安森美 | 功能相似 | D2PAK |
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
|
||
MJD44H11T4G
|
onsemi | 功能相似 | TO-252 |
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价