技术参数/额定电压(DC): 6.20 V
技术参数/电容: 185 pF
技术参数/额定功率: 350 mW
技术参数/击穿电压: 6.20 V
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/稳压值: 6.2 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/封装: SOT-23
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84C5V6LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BZX84C5V6LT1G 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
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Diodes (美台) | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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BZX84C6V2
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CJ (长电科技) | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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Micro Commercial Components (美微科) | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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BZX84C6V2
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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FMS (美丽微) | 完全替代 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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先科ST (先科) | 完全替代 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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BZX84C6V2
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Central Semiconductor | 完全替代 | SOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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BZX84C6V2
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Multicomp | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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BZX84C6V2
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PANJIT Touch Screens | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C6V2 齐纳二极管, 350mW, 6.2V, SOT-23
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BZX84C6V2-7-F
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Diodes (美台) | 类似代替 | SOT-23-3 |
BZX84C6V2-7-F 编带
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BZX84C6V2ET1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
齐纳稳压器 Zener Voltage Regulators
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