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型号: BST52,115
描述: NXP BST52,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE
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封 装: SOT-89-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/极性: NPN

技术参数/耗散功率: 1.3 W

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V

技术参数/集电极最大允许电流: 1A

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 2000 @500mA, 10V

技术参数/额定功率(Max): 1.3 W

技术参数/直流电流增益(hFE): 1000

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/增益带宽: 200 MHz

技术参数/耗散功率(Max): 1300 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: SOT-89-3

外形尺寸/长度: 4.6 mm

外形尺寸/宽度: 2.6 mm

外形尺寸/高度: 1.6 mm

外形尺寸/封装: SOT-89-3

物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

海关信息/香港进出口证: NLR

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BST52,115 BST52,115 NXP (恩智浦) 类似代替 SOT-89-3
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