技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 2V
技术参数/额定功率(Max): 1.25 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 12.5 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-126-3
外形尺寸/长度: 8.3 mm
外形尺寸/宽度: 3.45 mm
外形尺寸/高度: 11.2 mm
外形尺寸/封装: TO-126-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Central Semiconductor | 功能相似 | SIP |
NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Multicomp | 功能相似 | TO-126 |
NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Continental Device | 功能相似 |
NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | TO-126 |
NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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BD135
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CDIL | 功能相似 |
NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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BD13516S
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
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BD135G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
ON SEMICONDUCTOR BD135G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 25 hFE 新
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