封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOT-223
外形尺寸/封装: SOT-223
其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO): 100V
其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO): 80V
其他/集电极连续输出电流ICCollector Current(IC): 1A
其他/截止频率fTTranstion Frequency(fT): 100MHz
其他/直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE): 100~250
其他/管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage: 500mV/0.5V
其他/耗散功率PcPower Dissipation: 1.5W
其他/规格书PDF: __
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BCP56
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-261-4 |
NPN 通用放大器
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Continental Device | 功能相似 |
NPN 通用放大器
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Zetex | 功能相似 |
NPN 通用放大器
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-223 |
NPN 通用放大器
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BCP56
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-223 |
NPN 通用放大器
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BCP56
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SLKOR (韩国萨科微) | 功能相似 | SOT-23 |
NPN 通用放大器
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BCP56
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-223-4 |
NPN 通用放大器
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BCP56
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SC-73 |
NPN 通用放大器
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BCP56-16
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-223-4 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BCP56-16
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-223 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-223 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BCP56-16
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-261-4 |
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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BCP5616E6327HTSA1
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-261-4 |
SOT-223 NPN 80V 1A
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BCP56T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR BCP56T1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE
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