技术参数/耗散功率: 1400 mW
技术参数/增益频宽积: 120 MHz
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 250
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOT-223-4
外形尺寸/长度: 6.3 mm
外形尺寸/宽度: 3.3 mm
外形尺寸/高度: 1.8 mm
外形尺寸/封装: SOT-223-4
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Continental Device | 功能相似 |
PNP硅外延晶体管中功率高电流表面贴装 PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT
|
|||
BCP53
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-223 |
PNP硅外延晶体管中功率高电流表面贴装 PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT
|
||
BCP53
|
Yageo (国巨) | 功能相似 |
PNP硅外延晶体管中功率高电流表面贴装 PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT
|
|||
|
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-223 |
Transistor
|
||
|
BCP55-10
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-223 |
Transistor
|
||
|
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-223 |
Transistor
|
||
|
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOT-223-4 |
Transistor
|
||
|
BCP55-16
|
Diotec Semiconductor | 功能相似 |
Transistor
|
|||
BCP55-16
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-223-4-10 |
Transistor
|
||
|
BCP55-16
|
SLKOR (韩国萨科微) | 功能相似 | SOT-223 |
Transistor
|
||
|
BCP55-16E6327
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOT-223 |
SOT-223 NPN 60V 1A
|
||
BCP5516E6327HTSA1
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOT-223 |
SOT-223 NPN 60V 1A
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价