技术参数/频率: 300 MHz
技术参数/额定电压(DC): 65.0 V
技术参数/额定电流: 100 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 65 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 200 @2mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 290
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323-3
外形尺寸/长度: 2.2 mm
外形尺寸/宽度: 1.35 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-323-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 国防, 军用与航空, 电源管理, 工业, 车用
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/军工级: Yes
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC846B-7-F
|
Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | SOT-23-3 |
BC846B 系列 NPN 65 V 300 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-23-3
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BC846BW,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia BC846BW,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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BC846S
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GMR Semiconductor (金誉半导体) | 功能相似 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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BC846S
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-363-6-1 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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