技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOT-323-3
外形尺寸/封装: SOT-323-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Panjit (强茂) | 类似代替 | SOT-323 |
NXP BC807-16W 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE 新
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BC807-16W
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | SOT-323 |
NXP BC807-16W 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE 新
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BC807-16W
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PANJIT Touch Screens | 类似代替 |
NXP BC807-16W 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE 新
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BC807-16W
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-323 |
NXP BC807-16W 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE 新
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BC807-16W
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Siemens AG | 类似代替 | SOT-323 |
NXP BC807-16W 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE 新
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BC807-16W
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Diotec Semiconductor | 类似代替 |
NXP BC807-16W 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE 新
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BC807-16W,115
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-323-3 |
SC-70 PNP 45V 0.5A
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BC807W,115
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Nexperia (安世) | 完全替代 | SOT-323-3 |
NXP BC807W,115 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 100 hFE
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