技术参数/额定电压(DC): 1.00 kV
技术参数/额定电流: 37.0 A
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 694 W
技术参数/输入电容: 9.75 nF
技术参数/栅电荷: 395 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 1000 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 37.0 A
技术参数/上升时间: 22 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 9750pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 694W (Tc)
封装参数/安装方式: Screw
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SOT-227-4
外形尺寸/封装: SOT-227-4
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
APT10025JVR
|
Microsemi (美高森美) | 类似代替 | SOT-227 |
Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227
|
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