技术参数/击穿电压: -25.0 V|25 V
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 50 Ω
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 25 V
技术参数/漏源击穿电压: 25 V
技术参数/栅源击穿电压: 25 V
技术参数/输入电容(Ciss): 5pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PMBFJ308
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-23-3 |
N 通道 JFET，NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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PMBFJ308,215
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-23-3 |
NXP PMBFJ308,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 12 → 60mA, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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