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型号: 6N136M
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品 牌: LITE
封 装: DIP
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技术参数/正向电压: 1.45 V

技术参数/耗散功率: 100 mW

技术参数/正向电压(Max): 1.7 V

技术参数/正向电流(Max): 25 mA

技术参数/工作温度(Max): 100 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 100 mW

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: DIP

外形尺寸/高度: 3.5 mm

外形尺寸/封装: DIP

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
6N135M 6N135M ON Semiconductor (安森美) 功能相似 DIP-8
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 6N135M 光电耦合器, 晶体管输出, 高速, 1通道, DIP, 8 引脚, 50 mA, 5 kV, 7 %
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 6N136M 光电耦合器, 晶体管输出, 高速, 1通道, DIP, 8 引脚, 25 mA, 5 kV, 19 %
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 6N136M 光电耦合器, 晶体管输出, 高速, 1通道, DIP, 8 引脚, 25 mA, 5 kV, 19 %
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 6N136M 光电耦合器, 晶体管输出, 高速, 1通道, DIP, 8 引脚, 25 mA, 5 kV, 19 %
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6N136M 6N136M ON Semiconductor (安森美) 功能相似 PDIP-8
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 6N136M 光电耦合器, 晶体管输出, 高速, 1通道, DIP, 8 引脚, 25 mA, 5 kV, 19 %
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