技术参数/耗散功率: 60W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 900 V
技术参数/输入电容(Ciss): 980pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 60 W
技术参数/耗散功率(Max): 60W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-3-3
外形尺寸/封装: TO-3-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2SK1859
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HITACHI (日立) | 类似代替 | TO-3 |
硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
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2SK1859
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 类似代替 | TO-3 |
硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
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