技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 15 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @3mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-72-3
外形尺寸/封装: TO-72-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准:
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BFR93AW
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-323 |
BFR93AW NPN三极管 20V 50mA 6Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 R2 RF放大器，混频器和振荡器
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BFR93AW
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-323 |
BFR93AW NPN三极管 20V 50mA 6Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 R2 RF放大器，混频器和振荡器
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BFR93AW
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SC-70 |
BFR93AW NPN三极管 20V 50mA 6Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 R2 RF放大器，混频器和振荡器
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Siemens AG | 功能相似 | SOT-23 |
BFS17P NPN三极管 25V 25mA 2.5GHz 20~150 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 MC 宽带放大器
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BFS17P
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23 |
BFS17P NPN三极管 25V 25mA 2.5GHz 20~150 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 MC 宽带放大器
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JANTXV2N918
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | TO-72 |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 4Pin TO-72
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