技术参数/耗散功率: 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 50pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 725 mW
技术参数/耗散功率(Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6660JTVP02
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3Pin TO-205AD
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2N6660JTVP02
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3Pin TO-205AD
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2N6660JTX02
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-205 |
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
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2N6660JTXP02
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3Pin TO-205AD
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2N6660JTXP02
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3Pin TO-205AD
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2N6660JTXP02
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3Pin TO-205AD
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