技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 120 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @250mA, 2V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39
外形尺寸/封装: TO-39
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准:
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ETC | 完全替代 |
PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
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Microchip (微芯) | 完全替代 |
PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
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2N5679
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-39 |
PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-39 |
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
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JAN2N3635
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Semicoa Semiconductor | 类似代替 | TO-39 |
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
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JAN2N3635
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-39-3 |
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
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JANTX2N5680
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Microchip (微芯) | 完全替代 |
TO-39 PNP 120V 1A
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