技术参数/极性: PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 175 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @50mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-39-3
外形尺寸/封装: TO-39-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
JANTX2N3637
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Semicoa Semiconductor | 完全替代 | TO-39 |
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
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JANTXV2N3637
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Crystalonics | 类似代替 | TO-5 |
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
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JANTXV2N3637
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-39-3 |
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
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