技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.0055 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 187 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -75.0 A
技术参数/上升时间: 225 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 9000pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 210 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3750 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/长度: 10.41 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 9.01 mm
外形尺寸/封装: TO-220
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 消费电子产品, Portable Devices, 便携式器材, Industrial, Power Management, 工业, Consumer Electronics, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MTP23P06VG
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
-23A,-60V,P沟道功率MOSFET
|
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