技术参数/额定电压(DC): 20.0 V
技术参数/额定电流: 3.30 A
技术参数/漏源极电阻: 55.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 640mW (Ta)
技术参数/输入电容: 465 pF
技术参数/栅电荷: 4.00 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/漏源击穿电压: 20.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±8.00 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.30 A
技术参数/输入电容(Ciss): 465pF @16V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 640mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SMD-8
外形尺寸/封装: SMD-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTHD5904NT1
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SMD-8 |
功率MOSFET的20 V ， 4.5 A ，双N沟道， ChipFET Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET
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||
NTHD5904NT3
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SMD-8 |
功率MOSFET的20 V ， 4.5 A ，双N沟道， ChipFET Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET
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