技术参数/额定电压(DC): -60.0 V
技术参数/额定电流: -280 mA
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 4 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 700 mW
技术参数/阈值电压: 3.5 V
技术参数/输入电容: 100 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 320 mA
技术参数/上升时间: 5 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 100pF @18V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 700 mW
技术参数/下降时间: 15 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 700 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 6.7 mm
外形尺寸/宽度: 3.7 mm
外形尺寸/高度: 1.65 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
其他/制造应用: 工业, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ZVN2106A
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Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
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ZVN2106A
|
Diodes (美台) | 类似代替 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
|
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Zetex | 类似代替 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
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Zetex | 类似代替 | TO-92 |
ZVN4424A 袋装
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ZVN4424A
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Diodes (美台) | 类似代替 | TO-92-3 |
ZVN4424A 袋装
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ZVN4424A
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Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | TO-92-3 |
ZVN4424A 袋装
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ZVP4424A
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Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | TO-92-3 |
ZVP4424 系列 P 沟道 240 V 1 A 750 mW 垂直 DMOS FET - TO-92
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ZVP4424A
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Zetex | 类似代替 | TO-92-3 |
ZVP4424 系列 P 沟道 240 V 1 A 750 mW 垂直 DMOS FET - TO-92
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