封装参数/封装: SM-8
外形尺寸/封装: SM-8
其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO): 50V
其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO): 17.5V
其他/集电极连续输出电流IC Collector Current(IC): 5A
其他/Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1): 150MHz
其他/Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2): 450
其他/Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio: 120mV
其他/Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1): 2750mW
其他/Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2): Features • SM-8 DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS
其他/Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio: 特点 •SM-8双NPN中等功率高增益晶体管
其他/规格书PDF: __
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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