技术参数/额定电压(DC): 70.0 V
技术参数/额定电流: 35.0 A
技术参数/输出接口数: 1
技术参数/供电电流: 0.25 mA
技术参数/漏源极电阻: 28.0 mΩ
技术参数/耗散功率: 125000 mW
技术参数/漏源击穿电压: 70.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 35.0 A
技术参数/输出电流(Max): 25 A
技术参数/输出电流(Min): 25 A
技术参数/耗散功率(Max): 125000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 12
封装参数/封装: PowerSO-10
外形尺寸/封装: PowerSO-10
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VNB35N0713TR
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-263-3 |
MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
|
||
VNV35N07-E
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | PowerSO-10 |
VNV35N07 系列 18 V 28 mOhm 完全 自动保护 功率 MOSFET - PowerSO-10
|
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