技术参数/输出接口数: 1
技术参数/漏源极电阻: 60.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 60000 mW
技术参数/漏源击穿电压: 40.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 6.00 A
技术参数/输出电流(Max): 6 A
技术参数/输入数: 1
技术参数/耗散功率(Max): 60000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VND7NV04-E
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-252-3 |
STMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V
|
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VND7NV0413TR
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-252-3 |
â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
|
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VND7NV04TR-E
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-252-3 |
STMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV
|
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