技术参数/额定电压(DC): 70.0 V
技术参数/额定电流: 20.0 A
技术参数/输出接口数: 1
技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 0.05 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 83 W
技术参数/阈值电压: 800 mV
技术参数/漏源极电压(Vds): 70 V
技术参数/漏源击穿电压: 70 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 20.0 A
技术参数/上升时间: 240 ns
技术参数/输出电流(Max): 14 A
技术参数/下降时间: 150 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BTS133TC
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON BTS133TC 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 28A, TO-263-3
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VNB20N07
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-263-3 |
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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VNB20N07TR-E
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-263-3 |
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
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VNB20N07TR-E
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-263-3 |
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
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