技术参数/额定功率: 1 W
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 400 V
技术参数/上升时间: 20 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 110pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 65 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.21 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TP2640N3-G
|
Supertex (超科) | 类似代替 | TO-92-3 |
场效应管(MOSFET) TP2640N3-G TO-92-3
|
||
VN0550N3-G
|
Suptertex | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.05A 3Pin TO-92
|
|||
VP0550N3-G
|
Microchip (微芯) | 类似代替 | TO-92-3 |
Trans MOSFET P-CH 500V 0.054A 3Pin TO-92
|
||
VP0550N3-G
|
Supertex (超科) | 类似代替 | TO-92-3 |
Trans MOSFET P-CH 500V 0.054A 3Pin TO-92
|
||
VP2450N3-G
|
Microchip (微芯) | 类似代替 | TO-92-3 |
场效应管(MOSFET) VP2450N3-G TO-92-3
|
||
VP2450N3-G
|
Supertex (超科) | 类似代替 | TO-92-3 |
场效应管(MOSFET) VP2450N3-G TO-92-3
|
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