技术参数/额定电压(DC): 450 V
技术参数/额定电流: 15.0 A
技术参数/额定功率: 175 W
技术参数/针脚数: 2
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 175 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 450 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 8 @8A, 5V
技术参数/额定功率(Max): 175 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 175000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: TO-3
外形尺寸/长度: 39.5 mm
外形尺寸/宽度: 26.2 mm
外形尺寸/高度: 8.7 mm
外形尺寸/封装: TO-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Semelab | 功能相似 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
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Multicomp | 功能相似 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
|
Central Semiconductor | 功能相似 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
|
Aeroflex (艾法斯) | 功能相似 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6338G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
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BUX48A
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-3 |
MULTICOMP BUX48A 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 175 W, 15 A
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BUX48A
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-3 |
MULTICOMP BUX48A 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 175 W, 15 A
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