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型号： UPA1912TE-T1
描述： UPA1912TE-T1 P沟道MOS场效应管 -12V 4.5A 0.039ohm SOT-163 marking/标记 TD 2.5V驱动 低导通电阻
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品 牌： NEC (日本电气)
封 装： SOT-163
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
1.16  元 1.16元
5+:
￥ 1.5593
25+:
￥ 1.4438
50+:
￥ 1.3629
100+:
￥ 1.3283
500+:
￥ 1.3052
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封装参数/封装: SOT-163

外形尺寸/封装: SOT-163

其他/最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage: -12V

其他/最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage: 10V

其他/最大漏极电流IdDrain Current: -4.5A

其他/源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance: 0.039Ω @-2.5A,-4.5V

其他/开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage: -0.5--1.5V

其他/耗散功率PdPower Dissipation: 200mW/0.2W

其他/规格书PDF: __

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