技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 0.3 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @10mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-363-6
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-363-6
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5233DW1T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5233DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-363
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MUN5111DW1T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-88-6 |
ON Semiconductor ### 数字晶体管，On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PUMB13,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-363-6 |
Nexperia PUMB13,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 UMT封装
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