技术参数/输出接口数: 7
技术参数/针脚数: 16
技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/驱动器/包: 7
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/输出电流(Max): 500 mA
技术参数/直流电流增益(hFE): 1000
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 16
封装参数/封装: PDIP-16
外形尺寸/长度: 19.3 mm
外形尺寸/宽度: 6.35 mm
外形尺寸/高度: 4.57 mm
外形尺寸/封装: PDIP-16
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃ (TA)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 电源管理, 电机驱动与控制, 发光二极管照明, 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ULN2002A
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | DIP-16 |
STMICROELECTRONICS ULN2002A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
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||
ULN2002A
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | 7 |
STMICROELECTRONICS ULN2002A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
|
||
|
|
HTC | 类似代替 | DIP-16 |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
|
||
ULN2003AN
|
TI | 类似代替 | DIP |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
|
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ULN2003AN
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | PDIP |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
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ULN2003AN
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Toshiba (东芝) | 类似代替 | TT |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
|
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ULQ2004AN
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TI (德州仪器) | 完全替代 | DIP-16 |
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
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