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技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/输出接口数: 7
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 950 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/驱动器/包: 7
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/输出电流(Max): 500 mA
技术参数/额定功率(Max): 950 mW
技术参数/工作温度(Max): 105 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 16
封装参数/封装: SOIC-16
外形尺寸/长度: 9.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.91 mm
外形尺寸/高度: 1.58 mm
外形尺寸/封装: SOIC-16
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 105℃ (TA)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ULN2003AIDR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-16 |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AIDR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
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ULN2003AIPWR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | TSSOP-16 |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AIPWR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, TSSOP
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ULQ2003ATDRQ1
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-16 |
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003ATDRQ1 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
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