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型号: TSM1NB60CP
描述: TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1NB60CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3.5 V
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封 装: TO-252
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 8 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 39 W

技术参数/阈值电压: 3.5 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-252

外形尺寸/封装: TO-252

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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