技术参数/频率: 50 MHz
技术参数/额定电压(DC): -80.0 V
技术参数/额定电流: -500 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP, P-Channel
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Leshan Radio (乐山无线电) | 类似代替 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT1G. 双极性晶体管, PNP -80V SOT-23
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MMBTA56LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT1G. 双极性晶体管, PNP -80V SOT-23
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MPSA56RLRAG
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92-3 |
ON SEMICONDUCTOR MPSA56RLRAG. 单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 625 mW, -500 mA, 100 hFE
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