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技术参数/电源电压(DC): 900mV (min)
技术参数/工作电压: 950 mV
技术参数/电容: 1.5 pF
技术参数/供电电流: 1 nA
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 6
技术参数/钳位电压: 105.5 V
技术参数/测试电流: 10 mA
技术参数/最小反向击穿电压: 11 V
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压(Max): 5.5 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: WDFN-6
外形尺寸/长度: 1.7 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.55 mm
外形尺寸/封装: WDFN-6
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃ (TA)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 计算机和计算机周边, 工业, 医用, 通信与网络, 成像, 以太网, 计量, 视频和目视
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TPD2E001DRLR
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TI (德州仪器) | 功能相似 | SOT-553 |
ESD 保护阵列，用于高速数据接口，STMicroelectronics ESD 保护超过 ±15kV 个人体模型 (HBM) ±8kV IEC 61000-4-2 触点放电 ±15kV IEC 61000-4-2 空隙放电 低 1.5pF 输入电容 低 1nA（最大值）泄露电流 低 1nA 电源电流 USB 2.0、Ethernet、FireWire™、SVGA 视频、手机等中的应用 ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics
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TPD2E001DRLR
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TI | 功能相似 | SOT-553 |
ESD 保护阵列，用于高速数据接口，STMicroelectronics ESD 保护超过 ±15kV 个人体模型 (HBM) ±8kV IEC 61000-4-2 触点放电 ±15kV IEC 61000-4-2 空隙放电 低 1.5pF 输入电容 低 1nA（最大值）泄露电流 低 1nA 电源电流 USB 2.0、Ethernet、FireWire™、SVGA 视频、手机等中的应用 ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics
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TPD3E001DRSR
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TI (德州仪器) | 类似代替 | WDFN-6 |
TEXAS INSTRUMENTS TPD3E001DRSR. 芯片, 静电保护器, 二极管阵列, 3通道 6SON
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