技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 8.00 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 1000 @4A, 4V
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 15000
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 4.6 mm
外形尺寸/高度: 9.15 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 功能相似 | TO-220 |
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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TIP132
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Multicomp | 功能相似 | TO-220 |
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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D45H11G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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TIP132
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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TIP132
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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