技术参数/频率: 3 MHz
技术参数/额定电压(DC): -100 V
技术参数/额定电流: -3.00 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP, P-Channel
技术参数/耗散功率: 40 W
技术参数/增益频宽积: 3 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/热阻: 3.125℃/W (RθJC)
技术参数/集电极最大允许电流: 3A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10 @3A, 4V
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 10
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.28 mm
外形尺寸/宽度: 4.83 mm
外形尺寸/高度: 9.28 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 电源管理, Industrial, 工业, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 8541290095
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TIP107G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON SEMICONDUCTOR TIP107G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE
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||
TIP127G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
PNP 复合晶体管，On Semiconductor 这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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