技术参数/频率: 10 MHz
技术参数/额定电压(DC): 300 V
技术参数/额定电流: 1.00 A
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 300 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 30 @300mA, 10V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 150
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 40 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 4.83 mm
外形尺寸/高度: 16.51 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TIP48
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Panasonic (松下) | 类似代替 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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TIP48
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Poinn | 类似代替 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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TIP48
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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TIP48
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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Inchange Semiconductor | 类似代替 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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NTE Electronics | 类似代替 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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TIP48
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-220-3 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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TIP48
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Central Semiconductor | 类似代替 | TO-220-3 |
高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors
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TIP48G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
TIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220AB
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Inchange Semiconductor | 类似代替 |
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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TIP49
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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TIP49
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Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | TO-220 |
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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TIP49
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Rectron Semiconductor | 类似代替 | TO-220 |
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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TIP49
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Central Semiconductor | 类似代替 | TO-220-3 |
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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TIP49
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-220-3 |
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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