技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.097 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 190 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 600 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 600 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 29A |
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技术参数/上升时间： | 53.4 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2785pF @50V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 210 W |
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技术参数/下降时间： | 61.8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 190W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-247-3 |
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外形尺寸/长度： | 15.75 mm |
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外形尺寸/宽度： | 5.15 mm |
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外形尺寸/高度： | 20.15 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-247-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STW55NM60ND
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW55NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V
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