芯片AI顾问
封装参数/封装： | SO-8L-4 |
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外形尺寸/封装： | SO-8L-4 |
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其他/Series： | SQ Series |
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其他/Packaging： | Reel |
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其他/Mounting-Style： | SMD/SMT |
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其他/Tradename： | TrenchFET |
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其他/Package-Case： | SO-8L-4 |
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其他/Technology： | Si |
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其他/Number-of-Channels： | 2 Channel |
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其他/Configuration： | Dual |
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其他/Transistor-Type： | 2 N-Channel |
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其他/Pd-Power-Dissipation： | 17 W 48 W |
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其他/Maximum-Operating-Temperature： | \+ 175 C |
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其他/Minimum-Operating-Temperature： | \- 55 C |
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其他/Fall-Time： | 12 ns 16 ns |
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其他/Rise-Time： | 25 ns 31 ns |
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其他/Vgs-Gate-Source-Voltage： | 20 V |
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其他/Id-Continuous-Drain-Current： | 15 A 45 A |
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其他/Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage： | 40 V |
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其他/Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage： | 1.8 V |
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其他/Rds-On-Drain-Source-Resistance： | 11 mOhms 22 mOhms |
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其他/Transistor-Polarity： | N-Channel |
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其他/Typical-Turn-Off-Delay-Time： | 29 ns 52 ns |
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其他/Typical-Turn-On-Delay-Time： | 33 ns 40 ns |
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其他/Qg-Gate-Charge： | 13.1 nC 22.5 nC |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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