技术参数/额定电压(DC)： | 40.0 V |
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技术参数/额定电流： | 80.0 A |
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技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 300W (Tc) |
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技术参数/输入电容： | 6.98 nF |
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技术参数/栅电荷： | 170 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 40 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 80.0 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 6980pF @25V(Vds) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-262-3-1 |
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外形尺寸/封装： | TO-262-3-1 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IPB80N04S4-04
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-252-3 |
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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IPI80N04S4-03
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-262-3 |
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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SPP80N04S2-04
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-220-3-1 |
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
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