技术参数/工作电压： | 10 V |
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技术参数/击穿电压： | 11.1 V |
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技术参数/耗散功率： | 1 W |
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技术参数/钳位电压： | 17 V |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 600 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 11.1 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-214AA-2 |
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外形尺寸/封装： | DO-214AA-2 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 汽车级 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SMBJ10CA-E3/52
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-214AA-2 |
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor 薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
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SMBJ10CA-E3/52
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VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-214AA |
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor 薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
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SMBJ10CA-M3/5B
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-214AA-2 |
ESD 抑制器/TVS 二极管 10V 800W Bidir TransZorb 5% Tol
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