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描述: MOSFET, Power; Dual N; 60V; + 20V; 2.4W; SO-8; 75A (Continuous); -55℃
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封 装: SO-8
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技术参数/漏源极电阻:

0.08 Ω

 

技术参数/耗散功率:

2.4 W

 

技术参数/漏源击穿电压:

60 V

 

技术参数/热阻:

93℃/W (RθJA)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/封装:

SO-8

 

外形尺寸/封装:

SO-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BSO604NS2 BSO604NS2 Infineon (英飞凌) 功能相似 SO-8
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
SI9945AEY-T1 SI9945AEY-T1 Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 SO
MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W
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SI9945AEY-T1-GE3 SI9945AEY-T1-GE3 Vishay Siliconix 功能相似 SO-8
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
SI9945AEY-T1-GE3 SI9945AEY-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) 功能相似
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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