技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.3W (Ta) |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | -4.10 A |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1.3W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/封装： | SO-8 |
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外形尺寸/封装： | SO-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT |
单P沟道增强型MOSFET Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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SI9435BDY
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT |
VISHAY SI9435BDY 晶体管, MOSFET, P沟道, 4.1 A, -30 V, 42 mohm, -10 V, -3 V
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SI9435BDY-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8Pin SOIC N T/R
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