封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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其他/구성: | Single |
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其他/Case/Package: | SOIC-8 Narrow |
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其他/Packaging: | Reel |
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其他/Brand: | Vishay Semiconductors |
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其他/장착 스타일: | SMD/SMT |
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其他/트랜지스터 극성: | P-Channel |
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其他/Channel Mode: | Enhancement |
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其他/하강 시간: | 9 ns, 15 ns |
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其他/Id - 연속 드레인 전류: | 8.7 A |
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其他/제조업체: | Vishay |
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其他/최대 작동 온도: | 150 C |
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其他/최소 작동 온도: | 55 C |
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其他/Pd - 전력 발산: | 2.5 W |
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其他/제품 카테고리: | P-Channel MOSFETs |
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其他/Rds On - Drain-Source 저항: | 18 mOhms |
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其他/상승 시간: | 13 ns, 100 ns |
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其他/Standard Pack Qty: | 2500 |
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其他/상표명: | TrenchFET |
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其他/표준 턴-오프 지연 시간: | 32 ns, 28 ns |
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其他/Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 30 V |
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其他/Vgs - 게이트-소스 항복 전압: | 25 V |
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其他/RoHS: | Compliant |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOIC-8 |
DMG4435SSS 系列 30 V 20 mOhm P 沟道 增强型 Mosfet - SOP-8
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