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型号： SI4490DY-T1-GE3
描述： MOSFET 200V 4A 3.1W 80mohm @ 10V
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品 牌： Vishay Siliconix
封 装： SOIC-8
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
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技术参数/耗散功率：

1.56W (Ta)

 

技术参数/漏源极电压(Vds)：

200 V

 

技术参数/耗散功率(Max)：

1.56W (Ta)

 

封装参数/安装方式：

Surface Mount

 

封装参数/封装：

SOIC-8

 

外形尺寸/封装：

SOIC-8

 

物理参数/工作温度：

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期：

Active

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Lead Free

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SI4410BDY-T1-E3 SI4410BDY-T1-E3 Vishay Intertechnology 功能相似 SOIC-8
TRANSISTOR 7500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal
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SI4410BDY-T1-E3 SI4410BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 功能相似 SO-8
TRANSISTOR 7500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal
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SI4410BDY-T1-E3 SI4410BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor (威世) 功能相似 SOIC-8
TRANSISTOR 7500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal
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SI4418DY-T1-E3 SI4418DY-T1-E3 VISHAY (威世) 类似代替 SO-8
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
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SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 SOIC-8
VISHAY SI4490DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 4A, SOIC
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SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Vishay Intertechnology 类似代替 SO-8
VISHAY SI4490DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 4A, SOIC
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