技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0088 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.5 W |
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技术参数/阈值电压： | 600 mV |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | -12.6 A |
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技术参数/上升时间： | 15 ns |
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技术参数/下降时间： | 110 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2500 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/最小包装： | 2500 |
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其他/制造应用： | 工业, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4425DDY-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOIC-8 |
P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-19.7A P=5.7W
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