技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 1 Ω |
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技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 0.31 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 240mA |
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技术参数/上升时间： | 4.8 ns |
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技术参数/额定功率(Max)： | 280 mW |
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技术参数/下降时间： | 9.6 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 280 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SC-70-3 |
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外形尺寸/封装： | SC-70-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/最小包装： | 3000 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI1330EDL-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | SOT-323-3 |
SI1330EDL-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 0.24A, 60V, 3Pin SOT-323
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SSM3K7002BFU
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Toshiba (东芝) | 功能相似 | SOT-323 |
SSM3K7002BFU N沟道场效应管 60V 0.2A SOT323 代码 NM 高速开关 模拟开关 低导通电阻
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