技术参数/输出电流： | 60 mA |
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技术参数/供电电流： | 700 µA |
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技术参数/电路数： | 2 |
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技术参数/通道数： | 2 |
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技术参数/耗散功率： | 450 mW |
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技术参数/共模抑制比： | 70 dB |
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技术参数/增益频宽积： | 1.1 MHz |
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技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/增益带宽： | 1.1 MHz |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 450 mW |
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技术参数/共模抑制比(Min)： | 70 dB |
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技术参数/电源电压(Max)： | 32 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 3 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.9 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.38 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM358DR
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Chipswinner | 功能相似 | SOP-8L/-40~85 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358DR 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM358DR
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358DR 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM358D
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS LM358D 运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM258D
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 | 8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM258D 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
|
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LM258DT
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOIC-8 |
LM158，LM258，LM358，低功率双路运算放大器，具有低输入偏置电流 LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下，输入共模电压范围包含接地，且输出电压还可摆幅至接地。 设计用于通过单电源工作 大直流电压增益：100 dB 宽带宽（单位增益）：1.1 MHz ### 运算放大器，STMicroelectronics
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